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NE3509M04-T2-A分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NE3509M04-T2-A |
| 参数属性 | NE3509M04-T2-A 封装/外壳为SOT-343F；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：FET RF 4V 2GHZ SOT-343 |
| 功能描述 | L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| 封装外壳 | SOT-343F |
| 文件大小 |
1.27717 Mbytes |
| 页面数量 |
11 页 |
| 生产厂商 | California Eastern Labs |
| 企业简称 |
CEL |
| 中文名称 | California Eastern Labs官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-3 23:20:00 |
| 人工找货 | NE3509M04-T2-A价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NE3509M04-T2-A规格书详情
NE3509M04-T2-A属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由California Eastern Labs制造生产的NE3509M04-T2-A晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
更多- 产品编号：
NE3509M04-T2-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
HFET
- 频率：
2GHz
- 增益：
17.5dB
- 额定电流（安培）：
60mA
- 噪声系数：
0.4dB
- 功率 - 输出：
11dBm
- 封装/外壳：
SOT-343F
- 供应商器件封装：
M04
- 描述：
FET RF 4V 2GHZ SOT-343
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas(瑞萨) |
24+ |
标准封装 |
12212 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
NEC/RENESAS |
24+ |
SOT-343 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
20+ |
M04 |
3000 |
询价 | |||
NEC(日电电子) |
24+ |
N/A |
9548 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
1922+ |
SOT-343 |
6852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
询价 | ||
NEC |
25+23+ |
SOT-343 |
48051 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
询价 | ||
NEC |
21+ |
SOT-343 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
BGA |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
RENESAS |
18+ |
SOT343 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 |
