| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT343 |
7906200 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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Renesas(瑞萨)原厂封装 |
32078 |
23+ |
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业 |
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深圳市智创诚芯电子科技有限公司4年
留言
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RENESAS/瑞萨货真价实,假一罚十 |
25000 |
SOT343 |
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深圳市鼎欣微电子有限公司4年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT343 |
30000 |
21+ |
只做正品原装现货 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT-343 |
54258 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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CEL原厂原包 |
19960 |
23+ |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT-343 |
90000 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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RENESASSOT-343 |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Renesas(瑞萨)标准封装 |
8248 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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RENESAS(瑞萨)/IDTM04 |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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RENESAS/瑞萨NA/ |
7600 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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RENESASSOT-343 |
7600 |
15+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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NEC原厂封装 |
13528 |
23+ |
振宏微原装正品,假一罚百 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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Renesas(瑞萨)NA |
20094 |
23+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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RENESAS/Renesas Electronics AmSOT-343 |
7600 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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RENESASSOT-343 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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深圳市星宇佳科技有限公司2年
留言
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RENESAS(瑞萨)/IDTM04 |
3000 |
20+ |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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CEL原厂原包 |
19960 |
23+ |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
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深圳市亿联芯电子科技有限公司13年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT343 |
37597 |
2023+ |
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原厂全新正品旗舰店优势现货 |
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深圳深宇韬电子科技有限公司1年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT-343 |
8800 |
2023+ |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
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NE3510M04图片
NE3510M04-T2-A价格
NE3510M04-T2-A价格：￥5.2093品牌：CEL
生产厂家品牌为CEL的NE3510M04-T2-A多少钱，想知道NE3510M04-T2-A价格是多少？参考价：￥5.2093。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，NE3510M04-T2-A批发价格及采购报价，NE3510M04-T2-A销售排行榜及行情走势，NE3510M04-T2-A报价。
NE3510M04-T2-A中文资料Alldatasheet PDF
更多NE3510M04制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE3510M04-A功能描述:射频GaAs晶体管 L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
NE3510M04-T2制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
NE3510M04-T2-A功能描述:射频GaAs晶体管 L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
