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NE3210S01 分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 射频 RENESAS/瑞萨

NE3210S01

图片仅供参考,请参阅产品规格书

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1+
  • 厂家型号:

    NE3210S01

  • 产品分类:

    芯片

  • 生产厂商:

    RENESAS/瑞萨

  • 库存数量:

    10298

  • 产品封装:

    SMD4000包装

  • 生产批号:

    23+

  • 库存类型:

    现货库存

  • 更新时间:

    2024-4-26 14:29:00

  • 详细信息
  • 规格书下载

原厂料号:NE3210S01品牌:Renesas

NE3210S01-T1B原装特价 射频结栅场效应晶体管 13.5 dB N-Channel

NE3210S01是分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。制造商Renesas/CEL生产封装SMD4000包装/4-SMD的NE3210S01晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

  • 芯片型号:

    NE3210S01

  • 规格书:

    下载

  • 企业简称:

    RENESAS【瑞萨】详情

  • 厂商全称:

    Renesas Electronics America

  • 中文名称:

    瑞萨科技有限公司

  • 内容页数:

    18 页

  • 文件大小:

    197.14 kb

  • 资料说明:

    HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

产品参考属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    NE3210S01

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    HFET

  • 频率:

    12GHz

  • 增益:

    13.5dB

  • 额定电流(安培):

    15mA

  • 噪声系数:

    0.35dB

  • 封装/外壳:

    4-SMD

  • 供应商器件封装:

    SMD

  • 描述:

    FET RF 4V 12GHZ S01

供应商

  • 企业:

    深圳市正迈科技有限公司

  • 商铺:

    进入商铺

  • 联系人:

    董小姐(原装现货供应商)

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