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NE3510M04-A分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

NE3510M04-A
厂商型号

NE3510M04-A

参数属性

NE3510M04-A 封装/外壳为SOT-343F;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:FET RF 4V 4GHZ M04

功能描述

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
FET RF 4V 4GHZ M04

封装外壳

SOT-343F

文件大小

180.75 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 California Eastern Labs
企业简称

CEL

中文名称

California Eastern Labs官网

原厂标识
CEL
数据手册

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更新时间

2025-8-4 17:58:00

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NE3510M04-A规格书详情

NE3510M04-A属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由California Eastern Labs制造生产的NE3510M04-A晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    NE3510M04-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    HFET

  • 频率:

    4GHz

  • 增益:

    16dB

  • 额定电流(安培):

    97mA

  • 噪声系数:

    0.45dB

  • 功率 - 输出:

    11dBm

  • 封装/外壳:

    SOT-343F

  • 供应商器件封装:

    M04

  • 描述:

    FET RF 4V 4GHZ M04

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