首页>NE3510M04-T2-A>规格书详情
NE3510M04-T2-A分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
厂商型号 |
NE3510M04-T2-A |
参数属性 | NE3510M04-T2-A 封装/外壳为SOT-343F;包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:FET RF 4V 4GHZ M04 |
功能描述 | HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR |
文件大小 |
180.75 Kbytes |
页面数量 |
11 页 |
生产厂商 | California Eastern Laboratories |
企业简称 |
CEL |
中文名称 | California Eastern Laboratories官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-9-26 9:38:00 |
NE3510M04-T2-A规格书详情
NE3510M04-T2-A属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。California Eastern Laboratories制造生产的NE3510M04-T2-A晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
更多- 产品编号:
NE3510M04-T2-A
- 制造商:
CEL
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
HFET
- 频率:
4GHz
- 增益:
16dB
- 额定电流(安培):
97mA
- 噪声系数:
0.45dB
- 封装/外壳:
SOT-343F
- 供应商器件封装:
M04
- 描述:
FET RF 4V 4GHZ M04
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
SOT-343 |
7600 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
询价 | |||
NEC |
24+23+ |
SOT-343 |
12580 |
16年现货库存供应商终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SOT-343 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
SOT-343 |
12800 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | ||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
20+ |
M04 |
3000 |
询价 | |||
RENESAS |
NA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
NEC |
23+ |
SMT84 |
26000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
CEL |
22+ |
S02 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
NEC |
2020+ |
SO2 |
16800 |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
SOT343 |
12000 |
原装现货,长期供应,终端账期支持 |
询价 |