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NE3510M04-T2-A分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

NE3510M04-T2-A
厂商型号

NE3510M04-T2-A

参数属性

NE3510M04-T2-A 封装/外壳为SOT-343F;包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:FET RF 4V 4GHZ M04

功能描述

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
FET RF 4V 4GHZ M04

文件大小

180.75 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 California Eastern Laboratories
企业简称

CEL

中文名称

California Eastern Laboratories官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-26 9:38:00

NE3510M04-T2-A规格书详情

NE3510M04-T2-A属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。California Eastern Laboratories制造生产的NE3510M04-T2-A晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    NE3510M04-T2-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    HFET

  • 频率:

    4GHz

  • 增益:

    16dB

  • 额定电流(安培):

    97mA

  • 噪声系数:

    0.45dB

  • 封装/外壳:

    SOT-343F

  • 供应商器件封装:

    M04

  • 描述:

    FET RF 4V 4GHZ M04

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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