NE3512S02-T1C-A_分立半导体产品 晶体管-FETMOSFET-射频-CEL

原厂料号：NE3512S02-T1C-A品牌：CEL

资料说明：HJ-FET NCH 13.5DB S02

NE3512S02-T1C-A是分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。制造商CEL/California Eastern Labs生产封装4-SMD，扁平引线的NE3512S02-T1C-A晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

• 芯片型号：

  ne3512s02-t1c-a

• 规格书：

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• 企业简称：

  CEL详情

• 厂商全称：

  California Eastern Labs

• 资料说明：

  HJ-FET NCH 13.5DB S02