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NE3512S02-T1C-A

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件:270.66 Kbytes 页数:8 Pages

CEL

NE3512S02-T1C-A

Package:4-SMD,扁平引线;包装:托盘 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:HJ-FET NCH 13.5DB S02

CEL

CEL

NE3512S02-T1D

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件:270.66 Kbytes 页数:8 Pages

CEL

NE3512S02-T1D

C TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

文件:200.76 Kbytes 页数:11 Pages

RENESAS

瑞萨

NE3512S02-T1D-A

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件:270.66 Kbytes 页数:8 Pages

CEL

产品属性

  • 产品编号:

    NE3512S02-T1C-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    HFET

  • 频率:

    12GHz

  • 增益:

    13.5dB

  • 额定电流(安培):

    70mA

  • 噪声系数:

    0.35dB

  • 封装/外壳:

    4-SMD,扁平引线

  • 供应商器件封装:

    S02

  • 描述:

    HJ-FET NCH 13.5DB S02

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RENESAS/瑞萨
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更多NE3512S02-T1C-A供应商 更新时间2025-10-6 14:14:00