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NE3512S02-T1D

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

NE3512S02-T1D

C TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

NE3512S02-T1D-A

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

NE3512S02-T1C

CTOKuBANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

NE3512S02-T1C

HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

NE3512S02-T1C-A

HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

详细参数

  • 型号:

    NE3512S02-T1D

  • 制造商:

    CEL

  • 制造商全称:

    CEL

  • 功能描述:

    HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

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SMT86
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SMT-86
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RENESAS/瑞萨
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SMT-86
10000
全新原装现货库存
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NEC
07PB
SMT
250
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更多NE3512S02-T1D供应商 更新时间2025-6-10 15:04:00