NE3512S02-T1D-A资料使用说明书批发采购CEL-114ic电子网

首页 >NE3512S02-T1D-A>规格书列表

零件编号	下载订购	功能描述/丝印	制造商上传企业	LOGO
NE3512S02-T1D-A	文件：270.66 Kbytes Page：8 Pages	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL
NE3512S02-T1C	文件：270.66 Kbytes Page：8 Pages	HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL
NE3512S02-T1C	文件：200.76 Kbytes Page：11 Pages	CTOKuBANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NE3512S02-T1C-A	文件：270.66 Kbytes Page：8 Pages	HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL
NE3512S02-T1D	文件：200.76 Kbytes Page：11 Pages	CTOKuBANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NE3512S02-T1D	文件：270.66 Kbytes Page：8 Pages	HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL

详细参数

型号：
NE3512S02-T1D-A
功能描述：
射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
RoHS：
否
制造商：
TriQuint Semiconductor
技术类型：
pHEMT
频率：
500 MHz to 3 GHz
增益：
10 dB
噪声系数：
正向跨导
gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源电压
闸/源击穿电压：
- 8 V
漏极连续电流：
3 A
最大工作温度：
+ 150 C
功率耗散：
10 W

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	NE3512S02-T1D-A	Renesas(瑞萨)	24+	标准封装	7768	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
深圳市正纳电子有限公司	NE3512S02-T1D-A	Renesas(瑞萨)	23+	原厂封装	32078	10年以上分销商,原装进口件,服务型企业	询价
深圳市凌旭科技有限公司	NE3512S02-T1D-A	RENESAS	2016+	TO-50	3000	只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	NE3512S02-T1D-A	原厂正品	23+	SMT	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	NE3512S02-T1D-A	RENESAS	1822+	TO-50	6852	只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	NE3512S02-T1D-A	RENESAS	20+	SMT-86	19570	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	NE3512S02-T1D-A	RENESAS/瑞萨	24+		65200		询价
深圳市永贝尔科技有限公司	NE3512S02-T1D-A	CEL	23+	原厂原包	19960	只做进口原装终端工厂免费送样	询价
京海半导体(深圳)有限公司	NE3512S02-T1D-A	RENESAS/瑞萨	21+	TO-50	10000	原装现货假一罚十	询价
深圳市威雅利发展有限公司	NE3512S02-T1D-A	RENESAS/瑞萨	2015+	TO-50	50000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价

更多NE3512S02-T1D-A供应商更新时间2025-7-27 10:01:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号