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详细参数

型号：
NE3512S02-T1D-A
功能描述：
射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
RoHS：
否
制造商：
TriQuint Semiconductor
技术类型：
pHEMT
频率：
500 MHz to 3 GHz
增益：
10 dB
噪声系数：
正向跨导
gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源电压
闸/源击穿电压：
- 8 V
漏极连续电流：
3 A
最大工作温度：
+ 150 C
功率耗散：
10 W

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