| 订购数量 | 价格 |
|---|---|
| 1+ |
- 厂家型号：
NE3512S02-T1D-A
- 产品分类：
芯片
- 生产厂商：
- 库存数量：
32078
- 产品封装：
原厂封装
- 生产批号：
23+
- 库存类型：
- 更新时间：
2025-8-1 10:46:00
首页>NE3512S02-T1D-A>芯片详情
NE3512S02-T1D-A_RENESAS/瑞萨_射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET正纳电子一部
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号：
NE3512S02-T1D-A
- 功能描述：
射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
- RoHS：
否
- 制造商：
TriQuint Semiconductor
- 技术类型：
pHEMT
- 频率：
500 MHz to 3 GHz
- 增益：
10 dB
- 噪声系数：
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压：
- 8 V
- 漏极连续电流：
3 A
- 最大工作温度：
+ 150 C
- 功率耗散：
10 W
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