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NE3514S02-T1D-A_NEC/瑞萨_射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET河锋鑫科技

图片仅供参考，请参阅产品规格书

订购数量 价格
1+
  • 厂家型号：

    NE3514S02-T1D-A

  • 产品分类：

    芯片

  • 生产厂商：

    NEC

  • 库存数量：

    28895

  • 产品封装：

    SMD

  • 生产批号：

    1006+

  • 库存类型：

    优势库存

  • 更新时间：

    2025-8-1 10:04:00

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原厂料号：NE3514S02-T1D-A品牌：NEC

原装正品 可含税交易

  • 芯片型号：

    NE3514S02-T1D-A

  • 规格书：

    下载

  • 企业简称：

    CEL详情

  • 厂商全称：

    California Eastern Labs

  • 内容页数：

    8 页

  • 文件大小：

    269.67 kb

  • 资料说明：

    K BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号：

    NE3514S02-T1D-A

  • 功能描述：

    射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型：

    pHEMT

  • 频率：

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益：

    10 dB

  • 噪声系数：

    正向跨导

  • gFS（最大值/最小值）：

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压：

    - 8 V

  • 漏极连续电流：

    3 A

  • 最大工作温度：

    + 150 C

  • 功率耗散：

    10 W

供应商

  • 企业：

    深圳市河锋鑫科技有限公司

  • 商铺：

    进入商铺留言

  • 联系人：

    杨小姐

  • 手机：

    13430590551

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