NE3511S02分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NE3511S02 |
| 参数属性 | NE3511S02 封装/外壳为4-SMD，扁平引线；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频；产品描述：IC AMP RF LNA 13.5DB S02 |
| 功能描述 | X TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| 文件大小 |
288.54 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | California Eastern Laboratories |
| 企业简称 |
CEL |
| 中文名称 | California Eastern Laboratories官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-23 23:00:00 |
NE3511S02规格书详情
X TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
FEATURES
• Super low noise figure and high associated gain
NF = 0.30 dB TYP., Ga = 13.5 dB TYP. @ f = 12 GHz
• Micro-X plastic (S02) package
APPLICATIONS
• X to Ku-band DBS LNB
• Other X to Ku-band communication systems
NE3511S02属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。California Eastern Laboratories制造生产的NE3511S02晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 产品编号：
NE3511S02-T1C-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
HFET
- 频率：
12GHz
- 增益：
13.5dB
- 额定电流（安培）：
70mA
- 噪声系数：
0.3dB
- 封装/外壳：
4-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装：
S02
- 描述：
IC AMP RF LNA 13.5DB S02
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
NA/ |
3750 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
RENESAS |
2020+ |
T0-50 |
80000 |
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询价 | ||
NEC |
2020+ |
SO2 |
16800 |
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询价 | ||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
20+ |
S02 |
2000 |
询价 | |||
RENESAS/瑞萨 |
10+ |
NA |
880000 |
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NEC |
22+ |
SMT |
3000 |
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NEC |
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RENESAS/瑞萨 |
SMT-86 |
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NEC |
07+/08+ |
S02 |
311 |
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CEL |
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S02 |
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