NE3514S02分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NE3514S02 |
| 参数属性 | NE3514S02 封装/外壳为4-SMD，扁平引线；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：HJ-FET NCH 10DB S02 |
| 功能描述 | K BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| 封装外壳 | 4-SMD，扁平引线 |
| 文件大小 |
269.67 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | California Eastern Labs |
| 企业简称 |
CEL |
| 中文名称 | California Eastern Labs官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-3 10:50:00 |
| 人工找货 | NE3514S02价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NE3514S02规格书详情
NE3514S02属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由California Eastern Labs制造生产的NE3514S02晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
更多- 产品编号：
NE3514S02-T1C-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
HFET
- 频率：
20GHz
- 增益：
10dB
- 额定电流（安培）：
70mA
- 噪声系数：
0.75dB
- 封装/外壳：
4-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装：
S02
- 描述：
HJ-FET NCH 10DB S02
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
N/A |
22+ |
NA |
166066 |
原装正品现货,可开13个点税 |
询价 | ||
CEL |
22+ |
S02 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
47000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
65200 |
询价 | ||||
NEC |
24+ |
S02 |
439 |
询价 | |||
NEC |
23+ |
SMD |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
SMT-86 |
54815 |
百分百原装现货,实单必成,欢迎询价 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
21+ |
SMT86 |
10000 |
全新原装 公司现货 价格优 |
询价 | ||
N/A |
NA |
188 |
询价 | ||||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SMD |
26000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 |
