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NE3514S02-T1C分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NE3514S02-T1C |
| 参数属性 | NE3514S02-T1C 封装/外壳为4-SMD，扁平引线；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：HJ-FET NCH 10DB S02 |
| 功能描述 | K BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| 封装外壳 | 4-SMD，扁平引线 |
| 文件大小 |
269.67 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | California Eastern Labs |
| 企业简称 |
CEL |
| 中文名称 | California Eastern Labs官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-3 8:36:00 |
| 人工找货 | NE3514S02-T1C价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NE3514S02-T1C规格书详情
NE3514S02-T1C属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由California Eastern Labs制造生产的NE3514S02-T1C晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
更多- 产品编号：
NE3514S02-T1C-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
HFET
- 频率：
20GHz
- 增益：
10dB
- 额定电流（安培）：
70mA
- 噪声系数：
0.75dB
- 封装/外壳：
4-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装：
S02
- 描述：
HJ-FET NCH 10DB S02
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
2223+ |
SMD |
26800 |
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询价 | ||
NEC |
25+ |
SMD |
10000 |
全新原装现货库存 |
询价 | ||
RENESAS |
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SMT86 |
1458 |
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询价 | ||
CEL |
2022+ |
S02 |
38550 |
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RENESAS/原装 |
20+ |
SMD |
165 |
进口原装现货,假一赔十 |
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CEL |
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原厂原包 |
19960 |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
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RENESAS/旷远原装 |
2023+ |
SMD |
8800 |
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RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
3410 |
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RENESAS/瑞萨 |
25+ |
SMT-86 |
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询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
1301+ |
SMT86 |
880000 |
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询价 |
