NE3514S02分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NE3514S02 |
| 参数属性 | NE3514S02 封装/外壳为4-SMD，扁平引线；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：HJ-FET NCH 10DB S02 |
| 功能描述 | HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 封装外壳 | 4-SMD，扁平引线 |
| 文件大小 |
285.12 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | CEL |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-12 17:30:00 |
| 人工找货 | NE3514S02价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NE3514S02规格书详情
NE3514S02属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由California Eastern Labs制造生产的NE3514S02晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
更多- 产品编号：
NE3514S02-T1C-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
HFET
- 频率：
20GHz
- 增益：
10dB
- 额定电流（安培）：
70mA
- 噪声系数：
0.75dB
- 封装/外壳：
4-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装：
S02
- 描述：
HJ-FET NCH 10DB S02
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
N/A |
NA |
188 |
询价 | ||||
RENESAS/瑞萨 |
1301+ |
SMT86 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
RENESAS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
原厂正品 |
23+ |
SMT |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
NEC |
24+ |
S02 |
439 |
询价 | |||
RENESAS |
24+ |
SMD |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
RENESAS |
18+ |
SMT-86 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
SMT-86 |
54815 |
百分百原装现货,实单必成,欢迎询价 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
CEL |
2022+ |
S02 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 |
