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| 1+ |
- 厂家型号：
NE3514S02-T1C-A
- 产品分类：
IC芯片
- 生产厂商：
- 库存数量：
6000
- 产品封装：
SMT86
- 生产批号：
2023+
- 库存类型：
- 更新时间：
2025-7-19 15:47:00
NE3514S02-T1C-A_RENESAS/瑞萨_射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET亿联芯电子
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号：
NE3514S02-T1C-A
- 功能描述：
射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
- RoHS：
否
- 制造商：
TriQuint Semiconductor
- 技术类型：
pHEMT
- 频率：
500 MHz to 3 GHz
- 增益：
10 dB
- 噪声系数：
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压：
- 8 V
- 漏极连续电流：
3 A
- 最大工作温度：
+ 150 C
- 功率耗散：
10 W
供应商
- 企业：
深圳市亿联芯电子科技有限公司
- 商铺：
- 联系人：
吴经理
- 手机：
18138401919
- 询价：
- 电话：
18138401919
- 传真：
086-0755-23996005
- 地址：
深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
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- NE3520S03-T1C-A
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