NE3516S02-T1C-A 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频 CEL

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1+	0.01

厂家型号：
NE3516S02-T1C-A
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
生产厂商：
CEL
库存数量：
38550
产品封装：
S02
生产批号：
2022+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2025-12-15 15:01:00

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原厂料号：NE3516S02-T1C-A品牌：CEL

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NE3516S02-T1C-A是分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。制造商CEL生产封装S02/4-SMD，扁平引线的NE3516S02-T1C-A晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

芯片型号：
NE3516S02-T1C-A
规格书：
下载
企业简称：
CEL详情
厂商全称：
California Eastern Labs
内容页数：
9 页
文件大小：
333.21 kb
资料说明：
N-Channel GaAs HJ-FET, X to Ku Band Low Noise and High-Gain

产品属性

类型
描述
产品编号：
NE3516S02-T1C-A
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
N 沟道 GaAs HJ-FET
频率：
12GHz
增益：
14dB
额定电流（安培）：
60mA
噪声系数：
0.35dB
功率 - 输出：
165mW
封装/外壳：
4-SMD，扁平引线
供应商器件封装：
S02
描述：
IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX

供应商

企业：
深圳市鹏顺微电子科技有限公司
商铺：
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联系人：
杨先生
手机：
13682380609
询价：
电话：
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NE3516S02-T1C-A 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频 CEL

NE3516S02-T1C-A

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