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NE3514S02-T1C分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

NE3514S02-T1C
厂商型号

NE3514S02-T1C

参数属性

NE3514S02-T1C 封装/外壳为4-SMD,扁平引线;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:HJ-FET NCH 10DB S02

功能描述

K BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

封装外壳

4-SMD,扁平引线

文件大小

202 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
RENESAS
数据手册

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更新时间

2025-8-3 9:01:00

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产品属性

  • 产品编号:

    NE3514S02-T1C-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    HFET

  • 频率:

    20GHz

  • 增益:

    10dB

  • 额定电流(安培):

    70mA

  • 噪声系数:

    0.75dB

  • 封装/外壳:

    4-SMD,扁平引线

  • 供应商器件封装:

    S02

  • 描述:

    HJ-FET NCH 10DB S02

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