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NE3514S02-T1D-A中文资料CEL数据手册PDF规格书

NE3514S02-T1D-A
厂商型号

NE3514S02-T1D-A

功能描述

K BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

文件大小

269.67 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 California Eastern Labs
企业简称

CEL

中文名称

California Eastern Labs官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-27 18:25:00

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产品属性

  • 型号:

    NE3514S02-T1D-A

  • 功能描述:

    射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET

  • RoHS:

  • 制造商:

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型:

    pHEMT

  • 频率:

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益:

    10 dB

  • 噪声系数:

    正向跨导

  • gFS(最大值/最小值):

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压:

    - 8 V

  • 漏极连续电流:

    3 A

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 功率耗散:

    10 W

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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