首页 >NE3514S02-T1D-A>规格书列表
| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
NE3514S02-T1D-A | K BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET | CEL California Eastern Labs | CEL | |
HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR | CEL California Eastern Labs | CEL | ||
KBANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
KBANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET | CEL California Eastern Labs | CEL | ||
KBANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET | CEL California Eastern Labs | CEL | ||
HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR | CEL California Eastern Labs | CEL | ||
KBANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
KBANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET | CEL California Eastern Labs | CEL |
详细参数
- 型号：
NE3514S02-T1D-A
- 功能描述：
射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
- RoHS：
否
- 制造商：
TriQuint Semiconductor
- 技术类型：
pHEMT
- 频率：
500 MHz to 3 GHz
- 增益：
10 dB
- 噪声系数：
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压：
- 8 V
- 漏极连续电流：
3 A
- 最大工作温度：
+ 150 C
- 功率耗散：
10 W
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
1006+ |
SMD |
28895 |
原装正品 可含税交易 |
询价 | ||
NEC |
24+ |
SMD |
18500 |
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特价销售 |
询价 | ||
CEL |
23+ |
原厂原包 |
19960 |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
询价 | ||
NEC |
24+ |
BGA |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
NEC |
21+ |
SMD |
10000 |
全新原装 公司现货 价格优 |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
SMD |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
NEC |
22+ |
SMD |
3800 |
只做原装,价格优惠,长期供货。 |
询价 | ||
NEC |
07+ |
SMT-86 |
36545 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
NEC/RENESAS瑞萨 |
23+ |
SOP-8 |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
询价 | ||
NEC |
21+ |
SMD |
7500 |
只做原装所有货源可以追溯原厂 |
询价 |
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