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NE3515S02-T1C分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NE3515S02-T1C |
| 参数属性 | NE3515S02-T1C 封装/外壳为4-SMD，扁平引线；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 |
| 功能描述 | X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| 封装外壳 | 4-SMD，扁平引线 |
| 文件大小 |
225.18 Kbytes |
| 页面数量 |
12 页 |
| 生产厂商 | Renesas Technology Corp |
| 企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
| 中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-3 13:30:00 |
| 人工找货 | NE3515S02-T1C价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
产品属性
- 产品编号：
NE3515S02-T1C-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
HFET
- 频率：
12GHz
- 增益：
12.5dB
- 额定电流（安培）：
88mA
- 噪声系数：
0.3dB
- 功率 - 输出：
14dBm
- 封装/外壳：
4-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装：
S02
- 描述：
FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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