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NE3515S02-T1C分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

NE3515S02-T1C

参数属性

NE3515S02-T1C 封装/外壳为4-SMD,扁平引线;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

功能描述

X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

封装外壳

4-SMD,扁平引线

文件大小

225.18 Kbytes

页面数量

12

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

网址

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更新时间

2025-10-14 10:15:00

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产品属性

  • 产品编号:

    NE3515S02-T1C-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    HFET

  • 频率:

    12GHz

  • 增益:

    12.5dB

  • 额定电流(安培):

    88mA

  • 噪声系数:

    0.3dB

  • 功率 - 输出:

    14dBm

  • 封装/外壳:

    4-SMD,扁平引线

  • 供应商器件封装:

    S02

  • 描述:

    FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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