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NE3515S02-T1D	文件：415.03 Kbytes Page：9 Pages	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES •Superlownoisefigure,highassociatedgainandmiddleoutputpower NF=0.3dBTYP.,Ga=12.5dBTYP.@f=12GHz,VDS=2V,ID=10mA PO(1dB)=+14dBmTYP.@f=12GHz,VDS=3V,ID=25mAset(Non-RF) •Micr	CEL California Eastern Laboratories	CEL
NE3515S02-T1D	文件：225.18 Kbytes Page：12 Pages	X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NE3515S02-T1D-A	文件：415.03 Kbytes Page：9 Pages	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES •Superlownoisefigure,highassociatedgainandmiddleoutputpower NF=0.3dBTYP.,Ga=12.5dBTYP.@f=12GHz,VDS=2V,ID=10mA PO(1dB)=+14dBmTYP.@f=12GHz,VDS=3V,ID=25mAset(Non-RF) •Micr	CEL California Eastern Laboratories	CEL
NE3515S02-T1D-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：4-SMD，扁平引线类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02	CEL California Eastern Laboratories	CEL
NE3515S02-T1C	文件：225.18 Kbytes Page：12 Pages	XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NE3515S02-T1C	文件：415.03 Kbytes Page：9 Pages	HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES •Superlownoisefigure,highassociatedgainandmiddleoutputpower NF=0.3dBTYP.,Ga=12.5dBTYP.@f=12GHz,VDS=2V,ID=10mA PO(1dB)=+14dBmTYP.@f=12GHz,VDS=3V,ID=25mAset(Non-RF) •Micr	CEL California Eastern Laboratories	CEL
NE3515S02-T1C-A	文件：415.03 Kbytes Page：9 Pages	HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES •Superlownoisefigure,highassociatedgainandmiddleoutputpower NF=0.3dBTYP.,Ga=12.5dBTYP.@f=12GHz,VDS=2V,ID=10mA PO(1dB)=+14dBmTYP.@f=12GHz,VDS=3V,ID=25mAset(Non-RF) •Micr	CEL California Eastern Laboratories	CEL
NE3515S02-T1C-A	文件：415.04 Kbytes Page：9 Pages	XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES •Superlownoisefigure,highassociatedgainandmiddleoutputpower NF=0.3dBTYP.,Ga=12.5dBTYP.@f=12GHz,VDS=2V,ID=10mA PO(1dB)=+14dBmTYP.@f=12GHz,VDS=3V,ID=25mAset(Non-RF) •Micr	CEL California Eastern Laboratories	CEL

详细参数

型号：
NE3515S02-T1D
功能描述：
射频GaAs晶体管 Super Low Noise Pseudomorphic
RoHS：
否
制造商：
TriQuint Semiconductor
技术类型：
pHEMT
频率：
500 MHz to 3 GHz
增益：
10 dB
噪声系数：
正向跨导
gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源电压
闸/源击穿电压：
- 8 V
漏极连续电流：
3 A
最大工作温度：
+ 150 C
功率耗散：
10 W

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市维尔达电子有限公司	NE3515S02-T1D-A	NEC	2023+	SMD	80000	一级代理/分销渠道价格优势十年芯程一路只做原装正品	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	NE3515S02-T1D-A	CEL	2022+	S02	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
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