NE3515S02-T1D规格书应用电路市场行情瑞萨-114ic电子网

首页 >NE3515S02-T1D>规格书列表

零件编号	下载订购	功能描述/丝印	制造商上传企业	LOGO
NE3515S02-T1D	文件：415.03 Kbytes Page：9 Pages	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES •Superlownoisefigure,highassociatedgainandmiddleoutputpower NF=0.3dBTYP.,Ga=12.5dBTYP.@f=12GHz,VDS=2V,ID=10mA PO(1dB)=+14dBmTYP.@f=12GHz,VDS=3V,ID=25mAset(Non-RF) •Micr	CEL California Eastern Labs	CEL
NE3515S02-T1D	文件：225.18 Kbytes Page：12 Pages	X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NE3515S02-T1D-A	文件：415.03 Kbytes Page：9 Pages	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES •Superlownoisefigure,highassociatedgainandmiddleoutputpower NF=0.3dBTYP.,Ga=12.5dBTYP.@f=12GHz,VDS=2V,ID=10mA PO(1dB)=+14dBmTYP.@f=12GHz,VDS=3V,ID=25mAset(Non-RF) •Micr	CEL California Eastern Labs	CEL
NE3515S02-T1D-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：4-SMD，扁平引线；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02	CEL California Eastern Labs	CEL
NE3515S02-T1C	文件：415.03 Kbytes Page：9 Pages	HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES •Superlownoisefigure,highassociatedgainandmiddleoutputpower NF=0.3dBTYP.,Ga=12.5dBTYP.@f=12GHz,VDS=2V,ID=10mA PO(1dB)=+14dBmTYP.@f=12GHz,VDS=3V,ID=25mAset(Non-RF) •Micr	CEL California Eastern Labs	CEL
NE3515S02-T1C	文件：225.18 Kbytes Page：12 Pages	XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NE3515S02-T1C-A	文件：415.03 Kbytes Page：9 Pages	HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES •Superlownoisefigure,highassociatedgainandmiddleoutputpower NF=0.3dBTYP.,Ga=12.5dBTYP.@f=12GHz,VDS=2V,ID=10mA PO(1dB)=+14dBmTYP.@f=12GHz,VDS=3V,ID=25mAset(Non-RF) •Micr	CEL California Eastern Labs	CEL
NE3515S02-T1C-A	文件：415.04 Kbytes Page：9 Pages	XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES •Superlownoisefigure,highassociatedgainandmiddleoutputpower NF=0.3dBTYP.,Ga=12.5dBTYP.@f=12GHz,VDS=2V,ID=10mA PO(1dB)=+14dBmTYP.@f=12GHz,VDS=3V,ID=25mAset(Non-RF) •Micr	CEL California Eastern Labs	CEL

详细参数

型号：
NE3515S02-T1D
功能描述：
射频GaAs晶体管 Super Low Noise Pseudomorphic
RoHS：
否
制造商：
TriQuint Semiconductor
技术类型：
pHEMT
频率：
500 MHz to 3 GHz
增益：
10 dB
噪声系数：
正向跨导
gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源电压
闸/源击穿电压：
- 8 V
漏极连续电流：
3 A
最大工作温度：
+ 150 C
功率耗散：
10 W

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	NE3515S02-T1D-A	CEL	2022+	S02	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
深圳市华康联电子科技有限公司	NE3515S02-T1D-A	RENESAS	23+	SO2	20000		询价
深圳市星宇佳科技有限公司	NE3515S02-T1D-A	RENESAS(瑞萨)/IDT	20+	S02	2000		询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	NE3515S02-T1D-A	RENESAS(瑞萨)/IDT	24+	S02	7350	现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!	询价
深圳深宇韬电子科技有限公司	NE3515S02-T1D-A	RENESAS	2023+	SO2	8800	正品渠道现货终端可提供BOM表配单。	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	NE3515S02-T1D-A	CEL	25+	4-SMD 扁平引线	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳市勤思达科技有限公司	NE3515S02-T1D-A	RENESAS	24+	SO2	5000	全新原装正品,现货销售	询价
深圳市天芯威科技有限公司	NE3515S02-T1D-A	RENESAS	22+23+	SO2	8000	新到现货，只做原装进口	询价
深圳市澳亿芯电子科技有限公司	NE3515S02-T1D-A	RENESAS	24+	SO2	5000	只有原装	询价
深圳市富达微科技有限公司	NE3515S02-T1D-A	RENESAS	24+	SO2	8000	原装，正品	询价

更多NE3515S02-T1D供应商更新时间2025-7-26 15:01:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号