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NE4210S01-T1B	文件：65.23 Kbytes Page：16 Pages	X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET DESCRIPTION TheNE4210S01isaHeteroJunctionFETthatutilizestheheterojunctiontocreatehighmobilityelectrons.ItsexcellentlownoiseandassociatedgainmakeitsuitableforDBSandanothercommercialsystems. FEATURES •SuperLowNoiseFigure&HighAssociatedGainNF=0.5dBT	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
NE4210S01-T1B	文件：252.15 Kbytes Page：7 Pages	SUPER LOW NOISE HJ FET DESCRIPTION NECSNE4210S01isapseudomorphicHetero-JunctionFETthatusesthejunctionbetweenSi-dopedAIGaAsandundopedInGaAstocreateveryhighmobilityelectrons.ThedevicefeaturesmushroomshapedTiAlgatesfordecreasedgateresistanceandimprovedpowerhandling.Itsexcellentlown	CEL California Eastern Laboratories
NE4210S01-T1B	文件：199.83 Kbytes Page：18 Pages	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheNE4210S01isaHeteroJunctionFETthatutilizestheheterojunctiontocreatehighmobilityelectrons.ItsexcellentlownoiseandassociatedgainmakeitsuitableforDBSandanothercommercialsystems. FEATURES •SuperLowNoiseFigure&HighAssociatedGain NF=0.5dBTYP.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
NE4210S01-T1B	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：4-SMD 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：HJ-FET 13DB S01	CEL California Eastern Laboratories
NE4210S01-T1	文件：65.23 Kbytes Page：16 Pages	XtoKuBANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET DESCRIPTION TheNE4210S01isaHeteroJunctionFETthatutilizestheheterojunctiontocreatehighmobilityelectrons.ItsexcellentlownoiseandassociatedgainmakeitsuitableforDBSandanothercommercialsystems. FEATURES •SuperLowNoiseFigure&HighAssociatedGainNF=0.5dBT	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
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NE4210S01-T1	文件：199.83 Kbytes Page：18 Pages	HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNE4210S01isaHeteroJunctionFETthatutilizestheheterojunctiontocreatehighmobilityelectrons.ItsexcellentlownoiseandassociatedgainmakeitsuitableforDBSandanothercommercialsystems. FEATURES •SuperLowNoiseFigure&HighAssociatedGain NF=0.5dBTYP.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司

产品属性

产品编号：
NE4210S01-T1B
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
HFET
频率：
12GHz
增益：
13dB
额定电流（安培）：
15mA
噪声系数：
0.5dB
封装/外壳：
4-SMD
供应商器件封装：
SMD
描述：
HJ-FET 13DB S01

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