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NE461M02-T1

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER

DESCRIPTION The NE461M02 is an NPN silicon epitaxial bipolar transistor designed for medium power applications requiring high dynamic range and low intermodulation distortion. This device offers excellent performance and reliability at low cost through NECs titanium, platinum, gold metallization

文件:45.91 Kbytes 页数:5 Pages

NEC

瑞萨

NE461M02-T1-AZ

Package:TO-243AA;包装:托盘 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 15V SOT89

CEL

NE461M02-T1-QR-AZ

Package:TO-243AA;包装:带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 15V

CEL

NE461M02-T1-QS-AZ

Package:TO-243AA;包装:带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 15V SOT89

CEL

详细参数

  • 型号:

    NE461M02-T1

  • 功能描述:

    射频MOSFET电源晶体管 NPN Low Distort Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    Freescale Semiconductor

  • 配置:

    Single

  • 频率:

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益:

    27 dB

  • 输出功率:

    100 W

  • 封装/箱体:

    NI-780-4

  • 封装:

    Tray

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