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NE461M02-T1-AZ

Package:TO-243AA;包装:托盘 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 15V SOT89

CEL

CEL

NE461M02-T1

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER

DESCRIPTION The NE461M02 is an NPN silicon epitaxial bipolar transistor designed for medium power applications requiring high dynamic range and low intermodulation distortion. This device offers excellent performance and reliability at low cost through NECs titanium, platinum, gold metallization

文件:45.91 Kbytes 页数:5 Pages

NEC

瑞萨

NE5500234-T1-AZ

RENESAS
SOT89

RENESAS

瑞萨

上传:深圳市正纳电子有限公司

NE5532

TI
SOP/DIP

NE5532

TI/ST
SOP/DIP

TI/ST

产品属性

  • 产品编号:

    NE461M02-T1-AZ

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    15V

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz

  • 增益:

    8.3dB

  • 功率 - 最大值:

    2W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 50mA,10V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    250mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-89

  • 描述:

    RF TRANS NPN 15V SOT89

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RENESAS/瑞萨
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更多NE461M02-T1-AZ供应商 更新时间2025-10-12 11:00:00