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NE461M02-T1分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

NE461M02-T1
厂商型号

NE461M02-T1

参数属性

NE461M02-T1 封装/外壳为TO-243AA;包装为带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 15V

功能描述

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER

封装外壳

TO-243AA

文件大小

45.91 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

日本瑞萨电子株式会社官网

原厂标识
NEC
数据手册

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更新时间

2025-8-2 14:13:00

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NE461M02-T1规格书详情

DESCRIPTION

The NE461M02 is an NPN silicon epitaxial bipolar transistor designed for medium power applications requiring high dynamic range and low intermodulation distortion. This device offers excellent performance and reliability at low cost through NECs titanium, platinum, gold metallization system and direct nitride passivation of the surface of the chip. The NE461M02 is an excellent choice for low noise amplifiers in the VHF to UHF band and is suitable for CATV and other telecommunication applications.

FEATURES

• HIGH COLLECTOR CURRENT: 250 mA MAX

• NEW HIGH GAIN POWER MINI-MOLD PACKAGE (SOT-89 TYPE)

• HIGH OUTPUT POWER AT 1 dB COMPRESSION: 27 dBm TYP at 1 GHz

• HIGH IP3: 37 dBm TYP at 1 GHz

产品属性

  • 产品编号:

    NE461M02-T1-QR-AZ

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    15V

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz

  • 增益:

    8.3dB

  • 功率 - 最大值:

    2W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 50mA,10V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    250mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 描述:

    RF TRANS NPN 15V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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