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NE429M01-T1中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

NE429M01-T1
厂商型号

NE429M01-T1

功能描述

C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

文件大小

50.82 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

日本瑞萨电子株式会社官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-23 11:28:00

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NE429M01-T1规格书详情

DESCRIPTION

The NE429M01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and high associated gain make it suitable for DBS, TVRO and another commercial systems.

FEATURES

• Super low noise figure & High associated gain

NF = 0.9 dB TYP., Ga = 10 dB TYP. @ f = 12 GHz

• 6-pin super minimold package

• Gate width: Wg = 200µm

产品属性

  • 型号:

    NE429M01-T1

  • 功能描述:

    MOSFET Super Lo Noise HJFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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