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NE429M01-T1中文资料PDF规格书
NE429M01-T1规格书详情
DESCRIPTION
The NE429M01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and high associated gain make it suitable for DBS, TVRO and another commercial systems.
FEATURES
• Super low noise figure & High associated gain
NF = 0.9 dB TYP., Ga = 10 dB TYP. @ f = 12 GHz
• 6-pin super minimold package
• Gate width: Wg = 200µm
产品属性
- 型号：
NE429M01-T1
- 功能描述：
MOSFET Super Lo Noise HJFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
6000 |
面议 |
19 |
SC70-6 |
询价 | ||
NEC |
23+ |
SOT-363 |
6680 |
全新原装优势 |
询价 | ||
NEC |
24+ |
SOT-363 |
990000 |
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询价 | ||
NEC |
22+23+ |
SOT-363 |
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询价 | ||
NEC |
22+ |
SOT-363 |
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NEC |
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SOT363 |
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询价 | ||
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公司存货 |
询价 | |||||
NEC |
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SOT-363 |
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SOT-363 |
23+ |
NA |
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询价 | ||
NEC |
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SOT-363 |
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询价 |
