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NE425S01-T1B中文资料PDF规格书
NE425S01-T1B规格书详情
DESCRIPTION
The NE425S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and high associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems.
FEATURES
• Super Low Noise Figure & High Associated Gain
NF = 0.60 dB TYP., Ga = 12.0 dB TYP. at f = 12 GHz
• Gate Length: Lg ≤ 0.20 µm
• Gate Width : Wg = 200 µm
产品属性
- 型号：
NE425S01-T1B
- 功能描述：
射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET
- RoHS：
否
- 制造商：
TriQuint Semiconductor
- 技术类型：
pHEMT
- 频率：
500 MHz to 3 GHz
- 增益：
10 dB
- 噪声系数：
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压：
- 8 V
- 漏极连续电流：
3 A
- 最大工作温度：
+ 150 C
- 功率耗散：
10 W
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