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NE4211M01-T1中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

NE4211M01-T1
厂商型号

NE4211M01-T1

功能描述

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

丝印标识

V74

文件大小

206.81 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-23 20:00:00

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NE4211M01-T1规格书详情

FEATURES

• Super low noise figure & associated gain:

NF = 0.75 TYP., Ga = 12 dB TYP. @ f = 12 GHz

NF = 0.4 TYP., Ga = 16 dB TYP. @ f = 4 GHz

• 6-pin super minimold package

• Gate width: Wg = 160 mm

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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