NE4210S01分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
NE4210S01规格书详情
NE4210S01属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由California Eastern Labs制造生产的NE4210S01晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
DESCRIPTION
NECS NE4210S01 is a pseudomorphic Hetero-Junction FET that uses the junction between Si-doped AIGaAs and undoped InGaAs to create very high mobility electrons. The device features mushroom shaped TiAl gates for decreased gate resistance and improved power handling. Its excellent low noise figure and high associated gain make it suitable for DBS and commercial systems. The NE4210S01 is housed in a low cost plastic package which is available in tape and reel.
FEATURES
• SUPER LOW NOISE FIGURE: 0.50 dB TYP at f = 12 GHz
• HIGH ASSOCIATED GAIN: 13.0 dB TYP at f = 12 GHz
• GATE LENGTH: LG ≤ 0.20 µm
• GATE WIDTH: WG = 160 µm
产品属性
更多- 产品编号：
NE4210S01
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
HFET
- 频率：
12GHz
- 增益：
13dB
- 额定电流（安培）：
15mA
- 噪声系数：
0.5dB
- 封装/外壳：
4-SMD
- 供应商器件封装：
SMD
- 描述：
HJ-FET 13DB S01
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
2016+ |
SMT-86 |
6000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
RENESAS |
24+ |
TO-50 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
SMT-86 |
50000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
RENESAS |
24+ |
TO-50 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
CEL/NEC |
23+ |
SMT-86 |
26000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
47000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
NEC |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SMT86 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
RENESAS |
18+ |
SMT-86 |
3500 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
CEL |
22+ |
SMD |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |
