NE4210S01分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NE4210S01 |
| 参数属性 | NE4210S01 封装/外壳为4-SMD；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：HJ-FET 13DB S01 |
| 功能描述 | X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| 封装外壳 | 4-SMD |
| 文件大小 |
65.23 Kbytes |
| 页面数量 |
16 页 |
| 生产厂商 | NEC |
| 中文名称 | 瑞萨 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-1 23:00:00 |
| 人工找货 | NE4210S01价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NE4210S01规格书详情
DESCRIPTION
The NE4210S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems.
FEATURES
• Super Low Noise Figure & High Associated Gain NF = 0.5 dB TYP. Ga = 13.0 dB TYP. @f = 12 GHz
• Gate Length: Lg ≤ 0.20 µm
• Gate Width : Wg = 160 µm
产品属性
- 产品编号：
NE4210S01
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
HFET
- 频率：
12GHz
- 增益：
13dB
- 额定电流（安培）：
15mA
- 噪声系数：
0.5dB
- 封装/外壳：
4-SMD
- 供应商器件封装：
SMD
- 描述：
HJ-FET 13DB S01
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
NA/ |
7650 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
24+ |
SMD |
7350 |
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RENESAS |
2016+ |
SMT-86 |
6000 |
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NEC |
23+ |
SO86 |
12000 |
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询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
STM86 |
880000 |
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RENESAS |
18+ |
SMT-86 |
3500 |
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RENESAS |
20+ |
SMT86 |
49000 |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
20+ |
SMD |
4000 |
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NEC |
25+ |
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CEL/NEC |
23+ |
SMT-86 |
26000 |
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