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NE4211M01-T1

丝印:V74;HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

FEATURES • Super low noise figure & associated gain: NF = 0.75 TYP., Ga = 12 dB TYP. @ f = 12 GHz NF = 0.4 TYP., Ga = 16 dB TYP. @ f = 4 GHz • 6-pin super minimold package • Gate width: Wg = 160 mm

文件:206.81 Kbytes 页数:10 Pages

RENESAS

瑞萨

NE5500234-T1-AZ

SOT89

RENESAS

瑞萨

上传:深圳市正纳电子有限公司

NE5532

SOP/DIP

NE5532

SOP/DIP

TI/ST

NE5532AD

SOP-8

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NEC
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SOT26
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更多NE4211M01-T1供应商 更新时间2025-12-8 11:02:00