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NE4211M01-T1

丝印:V74;HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

FEATURES •Superlownoisefigure&associatedgain: NF=0.75TYP.,Ga=12dBTYP.@f=12GHz NF=0.4TYP.,Ga=16dBTYP.@f=4GHz •6-pinsuperminimoldpackage •Gatewidth:Wg=160mm

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

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SOT26
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SOT-363SOT-323-6
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更多NE4211M01-T1供应商 更新时间2025-7-29 11:02:00