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NE5550979A-A

Silicon Power LDMOS FET

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CEL

NE5550979A-A

Silicon Power LDMOS FET

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RENESAS

瑞萨

NE5550979A-A

Package:4-SMD,扁平引线;包装:托盘 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG

CEL

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Silicon Power LDMOS FET

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Silicon Power LDMOS FET

FEATURES • High Output Power : Pout = 39.5 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset= 200 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High power added efficiency : ηadd = 66 TYP. (VDS= 7.5 V, IDset= 200 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High Linear gain : GL = 22 dB TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 200 mA, f =

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Silicon Power LDMOS FET

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产品属性

  • 产品编号:

    NE5550979A-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    900MHz

  • 增益:

    22dB

  • 额定电流(安培):

    3A

  • 功率 - 输出:

    38.6dBm

  • 封装/外壳:

    4-SMD,扁平引线

  • 供应商器件封装:

    79A

  • 描述:

    FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NE5550979A-A供应商 更新时间2025-12-11 15:01:00