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NE5550979A	文件：438.95 Kbytes Page：10 Pages	Silicon Power LDMOS FET FEATURES • High Output Power : Pout = 39.5 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset= 200 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High power added efficiency : ηadd = 66 TYP. (VDS= 7.5 V, IDset= 200 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High Linear gain : GL = 22 dB TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 200 mA, f = 文件：438.95 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE5550979A	文件：790.36 Kbytes Page：13 Pages	Silicon Power LDMOS FET 文件：790.36 Kbytes 页数：13 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE5550979A	文件：1.15258 Mbytes Page：12 Pages	Silicon Power LDMOS FET 文件：1.15258 Mbytes 页数：12 Pages	CEL	CEL
NE5550979A	文件：784.88 Kbytes Page：13 Pages	Silicon Power LDMOS FET 文件：784.88 Kbytes 页数：13 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE5550979A-T1	文件：438.95 Kbytes Page：10 Pages	Silicon Power LDMOS FET FEATURES • High Output Power : Pout = 39.5 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset= 200 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High power added efficiency : ηadd = 66 TYP. (VDS= 7.5 V, IDset= 200 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High Linear gain : GL = 22 dB TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 200 mA, f = 文件：438.95 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE5550979A-T1A	文件：438.95 Kbytes Page：10 Pages	Silicon Power LDMOS FET FEATURES • High Output Power : Pout = 39.5 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset= 200 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High power added efficiency : ηadd = 66 TYP. (VDS= 7.5 V, IDset= 200 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm) • High Linear gain : GL = 22 dB TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 200 mA, f = 文件：438.95 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE5550979A_13	文件：790.36 Kbytes Page：13 Pages	Silicon Power LDMOS FET 文件：790.36 Kbytes 页数：13 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE5550979A_15	文件：784.88 Kbytes Page：13 Pages	Silicon Power LDMOS FET 文件：784.88 Kbytes 页数：13 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE5550979A-A	文件：790.36 Kbytes Page：13 Pages	Silicon Power LDMOS FET 文件：790.36 Kbytes 页数：13 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE5550979A-A	文件：1.15258 Mbytes Page：12 Pages	Silicon Power LDMOS FET 文件：1.15258 Mbytes 页数：12 Pages	CEL	CEL

详细参数

型号：
NE5550979A
制造商：
California Eastern Laboratories(CEL)
功能描述：
SILICON MEDIUM POWER LDMOSFET ROHS DIRECTIVE COMPLIANT - Product that comes on tape, but is not reeled
功能描述：
IC FET LDMOS 30V 3.0A 79A-PKG
功能描述：
Pout 39.5dBm PAE 66% Gain 22dB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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