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NE85630-T1-A

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

文件:831.88 Kbytes 页数:26 Pages

CEL

NE85630-T1-A

NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

文件:832.78 Kbytes 页数:26 Pages

CELDUC

凡纪继电器

NE85630-T1-A

Package:SC-70,SOT-323;包装:卷带(TR)剪切带(CT) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT323

CEL

CEL

NE85630-T1

NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

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CELDUC

凡纪继电器

NE85630-T1

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

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CEL

产品属性

  • 产品编号:

    NE85630-T1-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    12V

  • 频率 - 跃迁:

    4.5GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.2dB @ 1GHz

  • 增益:

    9dB

  • 功率 - 最大值:

    150mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 7mA,3V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    SOT-323

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT323

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NE85630-T1-A供应商 更新时间2025-10-4 9:05:00