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NE664M04-T2-A	文件：275.5 Kbytes Page：10 Pages	MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FRQUENCY TRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL
NE664M04-T2-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-343F；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 5V 20GHZ SOT343F	CEL California Eastern Labs	CEL
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NE664M04-T2-A

文件：275.5 Kbytes

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California Eastern Labs

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Package：SOT-343F；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 5V 20GHZ SOT343F

CEL

California Eastern Labs

CEL

NE664M04-T2

文件：128.83 Kbytes

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MEDIUMPOWERNPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNE664M04isfabricatedusingNECsstate-of-the-artUHS025GHzfTwaferprocess.Withatransitionfrequencyof20GHz,theNE664M04isusableinapplicationsfrom100MHztoover3GHz.TheNE664M04providesP1dBof26dBm,evenwithlowvoltageandlowcurrent,makingthisdevic

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC

产品属性

产品编号：
NE664M04-T2-A
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
5V
频率 - 跃迁：
20GHz
增益：
12dB
功率 - 最大值：
735mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 100mA，3V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
500mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-343F
供应商器件封装：
SOT-343F
描述：
RF TRANS NPN 5V 20GHZ SOT343F

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更多NE664M04-T2-A供应商更新时间2025-5-13 10:40:00

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