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NE664M04-T2分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

NE664M04-T2

参数属性

NE664M04-T2 封装/外壳为SOT-343F;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 5V 20GHZ SOT343F

功能描述

MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

封装外壳

SOT-343F

文件大小

128.83 Kbytes

页面数量

9

生产厂商

NEC

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-11 14:08:00

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NE664M04-T2规格书详情

DESCRIPTION

The NE664M04 is fabricated using NECs state-of-the-art UHS0 25 GHz fT wafer process. With a transition frequency of 20 GHz, the NE664M04 is usable in applications from 100 MHz to over 3 GHz. The NE664M04 provides P1dB of 26 dBm, even with low voltage and low current, making this device an excellent choice for the output or driver stage for mobile or fixed wireless applications.

The NE664M04 is housed in NECs low profile/flat lead style M04 package

FEATURES

• HIGH GAIN BANDWIDTH:

fT = 20 GHz

• HIGH OUTPUT POWER:

P-1dB = 26 dBm at 1.8 GHz

• HIGH LINEAR GAIN:

GL = 12 dB at 1.8 GHz

• LOW PROFILE M04 PACKAGE:

SOT-343 footprint, with a height of only 0.59 mm

Flat lead style for better RF performance

产品属性

  • 产品编号:

    NE664M04-T2-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    5V

  • 频率 - 跃迁:

    20GHz

  • 增益:

    12dB

  • 功率 - 最大值:

    735mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 100mA,3V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    500mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-343F

  • 供应商器件封装:

    SOT-343F

  • 描述:

    RF TRANS NPN 5V 20GHZ SOT343F

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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