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NE664M04-T2

MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

DESCRIPTION TheNE664M04isfabricatedusingNECsstate-of-the-artUHS025GHzfTwaferprocess.Withatransitionfrequencyof20GHz,theNE664M04isusableinapplicationsfrom100MHztoover3GHz.TheNE664M04providesP1dBof26dBm,evenwithlowvoltageandlowcurrent,makingthisdevic

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NE664M04-T2-A

MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FRQUENCY TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

NE664M04-T2-A

Package:SOT-343F;包装:托盘 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 5V 20GHZ SOT343F

CEL

California Eastern Labs

详细参数

  • 型号:

    NE664M04-T2

  • 功能描述:

    射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency

  • RoHS:

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 配置:

    Single

  • 晶体管极性:

    NPN

  • 最大工作频率:

    7000 MHz 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    15 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    2 V

  • 集电极连续电流:

    0.15 A

  • 功率耗散:

    1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 封装/箱体:

    SOT-223

  • 封装:

    Reel

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更多NE664M04-T2供应商 更新时间2025-5-17 16:48:00