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NE662M16-T3-A中文资料PDF规格书

NE662M16-T3-A
厂商型号

NE662M16-T3-A

功能描述

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

文件大小

175.62 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 California Eastern Laboratories
企业简称

CEL

中文名称

California Eastern Laboratories官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-30 19:00:00

NE662M16-T3-A规格书详情

DESCRIPTION

NECs NE662M16 is fabricated using NECs UHS0 25 GHz fT wafer process. With a typical transition frequency of 25 GHz the NE662M16 is usable in applications from 100 MHz to over 10 GHz. The NE662M16 provides excellent low voltage/low current performance.

NECs new low profile/flat lead style M16 package is ideal for todays portable wireless applications. The NE662M16 is an ideal choice for LNA and oscillator requirements in all mobile communication systems.

FEATURES

• HIGH GAIN BANDWIDTH: fT = 25 GHz

• LOW NOISE FIGURE: NF = 1.1 dB at 2 GHz

• HIGH MAXIMUM STABLE GAIN: 20 dB at f = 2 GHz

• NEW LOW PROFILE M16 PACKAGE:

• Flat Lead Style with a height of just 0.50mm

产品属性

  • 型号:

    NE662M16-T3-A

  • 功能描述:

    射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency

  • RoHS:

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 配置:

    Single

  • 晶体管极性:

    NPN

  • 最大工作频率:

    7000 MHz 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    15 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    2 V

  • 集电极连续电流:

    0.15 A

  • 功率耗散:

    1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 封装/箱体:

    SOT-223

  • 封装:

    Reel

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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