NE66219分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
NE66219 |
| 参数属性 | NE66219 封装/外壳为SOT-523;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523 |
| 功能描述 | NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE 쨌 HIGH-GAIN AMPLIFICATION 3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLD (19, 1608 PKG) |
| 封装外壳 | SOT-523 |
| 文件大小 |
329.12 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | CEL |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-12 23:01:00 |
| 人工找货 | NE66219价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
NE66219规格书详情
NE66219属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由California Eastern Labs制造生产的NE66219晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
FEATURES
• Suitable for high-frequency oscillation
• fT = 25 GHz technology adopted
• 3-pin ultra super minimold (19, 1608 PKG) package
产品属性
更多- 产品编号:
NE66219-A
- 制造商:
CEL
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
3.3V
- 频率 - 跃迁:
21GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
1.2dB @ 2GHz
- 增益:
14dB
- 功率 - 最大值:
115mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
60 @ 5mA,2V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
35mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SOT-523
- 供应商器件封装:
SOT-523
- 描述:
RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
NA/ |
2100 |
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询价 | ||
NEC |
2016+ |
SOT-523 |
6000 |
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询价 | ||
NEC |
24+ |
SC75 |
20000 |
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!! |
询价 | ||
NEC |
2450+ |
SOD523 |
6540 |
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询价 | ||
NEC |
23+ |
SOT-423 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
NEC |
25+23+ |
SC75 |
77773 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
询价 | ||
NEC |
22+ |
MINIFLAT-3 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
NEC |
25+ |
SC75 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
原厂正品 |
23+ |
SOT490 |
60000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
NEC |
23+ |
SOT-423 |
26520 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 |

