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NE66219分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

NE66219

参数属性

NE66219 封装/外壳为SOT-523;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523

功能描述

NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE 쨌 HIGH-GAIN AMPLIFICATION 3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLD (19, 1608 PKG)
RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523

封装外壳

SOT-523

文件大小

329.12 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

CEL

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更新时间

2025-12-12 23:01:00

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NE66219规格书详情

NE66219属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由California Eastern Labs制造生产的NE66219晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

FEATURES

• Suitable for high-frequency oscillation

• fT = 25 GHz technology adopted

• 3-pin ultra super minimold (19, 1608 PKG) package

产品属性

更多
  • 产品编号:

    NE66219-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    3.3V

  • 频率 - 跃迁:

    21GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.2dB @ 2GHz

  • 增益:

    14dB

  • 功率 - 最大值:

    115mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 5mA,2V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    35mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-523

  • 供应商器件封装:

    SOT-523

  • 描述:

    RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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