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NE651R479A-A分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
厂商型号 |
NE651R479A-A |
参数属性 | NE651R479A-A 封装/外壳为4-SMD,扁平引线;包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:FET RF 8V 1.9GHZ 79A |
功能描述 | MEDIUM POWER GaAs HJ-FET |
文件大小 |
501.77 Kbytes |
页面数量 |
11 页 |
生产厂商 | California Eastern Laboratories |
企业简称 |
CEL |
中文名称 | California Eastern Laboratories官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-9-20 10:55:00 |
NE651R479A-A规格书详情
DESCRIPTION
NECs NE651R479A is a GaAs HJ-FET designed for medium power mobile communications, Fixed Wireless Access, ISM, WLL, PCS, IMT-2000, and MMDS transmitter and subscriber applications. It is capable of delivering 0.5 Watts of output power (CW) at 3.5 V, and 1 Watt of output power (CW) at 5 V with high linear gain, high efficiency, and excellent linearity. Reliability and performance uniformity are assured by NECs stringent quality and control procedures.
FEATURES
• LOW COST PLASTIC SURFACE MOUNT PACKAGE Available on Tape and Reel
• USABLE TO 3.7 GHz: Fixed Wireless Access, ISM, WLL, MMDS, IMT-2000, PCS
• HIGH OUTPUT POWER:
30 dBm TYP with 5.0 V Vdc
27 dBm TYP with 3.5 V Vdc
• HIGH LINEAR GAIN: 12 dB TYP at 1.9 GHz
• LOW THERMAL RESISTANCE: 30°C/W
NE651R479A-A属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。California Eastern Laboratories制造生产的NE651R479A-A晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
更多- 产品编号:
NE651R479A-A
- 制造商:
CEL
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
HFET
- 频率:
1.9GHz
- 增益:
12dB
- 额定电流(安培):
1A
- 功率 - 输出:
27dBm
- 封装/外壳:
4-SMD,扁平引线
- 供应商器件封装:
79A
- 描述:
FET RF 8V 1.9GHZ 79A
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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23+ |
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