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NE6510179A开发板套件编程器的射频评估开发套件开发板规格书PDF中文资料

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厂商型号

NE6510179A

参数属性

NE6510179A 包装为盒;类别为开发板套件编程器的射频评估开发套件开发板;产品描述:EVAL BOARD NE6510179A 1.9GHZ

功能描述

NECs 3W, L&S-BAND MEDIUM POWER GaAs HJ-FET
EVAL BOARD NE6510179A 1.9GHZ

文件大小

285.94 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

CEL

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数据手册

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更新时间

2025-11-2 23:00:00

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NE6510179A规格书详情

NE6510179A属于开发板套件编程器的射频评估开发套件开发板。由California Eastern Labs制造生产的NE6510179A射频评估和开发套件,开发板本系列中的产品适用于在已知实施环境中,提供能访问射频相关器件的功能或者有助于访问该功能。所含的焦点产品范围从射频信号链元器件(如放大器和检测器)到模块化收发器,以及不直接包含焦点产品的适配器硬件,但此类硬件可供方便地访问用户单独提供的特定射频产品或系列。

DESCRIPTION

NECs NE6510179A is a GaAs HJ-FET designed for medium power mobile communications, Fixed Wireless Access, ISM, WLL, PCS, IMT-2000, and MMDS transmitter and subscriber applications. It is capable of delivering 1.8 watts of output power(C/W) at 3.5 V and 3 Watts of ouptut power (CW) at 5 V with high linear gain, high efficiency, and excellent linearity. Reliability and performance uniformity are assured by NECs stringent quality and control procedures.

FEATURES

• LOW COST PLASTIC SURFACE MOUNT PACKAGE Available on Tape and Reel

• USABLE TO 3.7 GHz: Fixed Wireless Access, ISM, WLL, MMDS, IMT-2000, PCS

• HIGH OUTPUT POWER:

35 dBm TYP with 5.0 V Vdc

32.5 dBm TYP with 3.5 V Vdc

• HIGH LINEAR GAIN: 10 dB TYP at 1.9 GHz

• LOW THERMAL RESISTANCE: 5°C/W

产品属性

更多
  • 产品编号:

    NE6510179A-EVPW19

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    开发板,套件,编程器 > 射频评估和开发套件,开发板

  • 包装:

  • 类型:

    FET

  • 频率:

    1.9GHz

  • 配套使用/相关产品:

    NE6510179A@1.9GHz

  • 所含物品:

  • 描述:

    EVAL BOARD NE6510179A 1.9GHZ

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