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NE651R479A开发板套件编程器的射频评估开发套件开发板规格书PDF中文资料
NE651R479A规格书详情
0.4 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET
DESCRIPTION
The NE651R479A is a 0.4 W GaAs HJ-FET designed for middle power transmitter applications for mobile
communication and wireless PC LAN systems. It is capable of delivering 0.4 W of output power (CW) with high linear gain, high efficiency and excellent distortion and as a driver amplifier for our NE6510179A and NE6510379A. Reliability and performance uniformity are assured by NEC’s stringent quality and control procedures.
FEATURES
• GaAs HJ-FET structure
• High output power
• High linear gain
• High power added efficiency
产品属性
- 产品编号：
NE651R479A-EVPW19
- 制造商：
CEL
- 类别：
开发板，套件，编程器 > 射频评估和开发套件，开发板
- 包装：
散装
- 类型：
FET
- 频率：
1.9GHz
- 配套使用/相关产品：
NE651R479A@1.9GHz
- 所含物品：
板
- 描述：
EVAL BOARD NE651R479A 1.9GHZ
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
578 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
NEC |
2016+ |
SMT-86 |
6000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
NEC |
24+ |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | |||
NEC |
13+ |
12278 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | |||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
20+ |
- |
1000 |
询价 | |||
NEC |
23+ |
26520 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | |||
NEC |
ROHS |
13352 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
CEL |
22+ |
79A |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
NEC |
6000 |
面议 |
19 |
DIP/SMD |
询价 | ||
CEL |
24+ |
原厂原封 |
4000 |
原装正品 |
询价 |
