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NE661M04-T2中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

NE661M04-T2
厂商型号

NE661M04-T2

功能描述

NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW CURRENT, LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD

文件大小

70.63 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

日本瑞萨电子株式会社官网

原厂标识
NEC
数据手册

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更新时间

2025-8-1 23:00:00

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NE661M04-T2规格书详情

FEATURES

• Low noise and high gain with low collector current

• NF = 1.2 dB, Ga = 16 dB TYP. @f = 2 GHz, VCE = 2 V, IC = 2 mA

• Maximum stable power gain: MSG = 22 dB TYP. @f = 2 GHz, VCE = 2 V, IC = 5 mA

• fT = 25 GHz technology

• Flat-lead 4-pin thin super mini-mold (t = 0.59 mm)

产品属性

  • 型号:

    NE661M04-T2

  • 制造商:

    California Eastern Laboratories(CEL)

  • 功能描述:

    Trans GP BJT NPN 3.3V 0.012A 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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