选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市广弘电子有限公司4年
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NECSOT-423 |
5500 |
20+ |
代理库存,房间现货,有挂就是现货 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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RENESAS-瑞萨SOT-423 |
57500 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市宇创芯科技有限公司10年
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NECSOT-423 |
9600 |
22+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
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NECSOT-523 |
9500 |
20+/21+ |
全新原装现货 |
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深圳兆威电子有限公司7年
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RENESASSOT-423 |
63000 |
23+ |
原装正品现货 |
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深圳市润联芯城科技有限公司1年
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NECSOT-423 |
50000 |
23+ |
原装正品 支持实单 |
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深圳兆威电子有限公司5年
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RENESASSOT-423 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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NE66219-T1图片
NE66219-T1-A中文资料Alldatasheet PDF
更多NE66219-T1功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE66219-T1-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel