订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
NE66219 分立半导体产品晶体管 - 双极(BJT)- 射频 NEC/瑞萨
- 详细信息
- 规格书下载
产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号:
NE66219-A
- 制造商:
CEL
- 类别:
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
3.3V
- 频率 - 跃迁:
21GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
1.2dB @ 2GHz
- 增益:
14dB
- 功率 - 最大值:
115mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
60 @ 5mA,2V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
35mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SOT-523
- 供应商器件封装:
SOT-523
- 描述:
RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523
供应商
相近型号
- NE662M04
- NE661M04-T2
- NE662M04-A
- NE661M04-T1-A
- NE662M04-EVGA09
- NE661M04-A
- NE662M04-EVGA09-A
- NE661M04
- NE662M04-EVGA19
- NE6610BS
- NE662M04-EVIP09
- NE65W-04
- NE662M04-EVNF09
- NE657NIC
- NE662M04-EVNF09-A
- NE657N
- NE662M04-EVNF16
- NE657
- NE662M04-EVNF19
- NE654N
- NE662M04-EVNF24
- NE654
- NE662M04-T1-A
- NE652N
- NE651R479A-T1-A
- NE662M04-T2
- NE651R479AT1A
- NE662M04-T2-A
- NE662M04-T2B-A
- NE662M16
- NE651R479A-T1
- NE662M16-T3-A
- NE651R479AT1
- NE662M4-T2
- NE651R479A-EVPW35
- NE663M04
- NE651R479A-EVPW24
- NE663M04-A
- NE651R479A-EVPW19
- NE663M04-EVPW08
- NE651R479A-A
- NE663M04-EVPW19
- NE651R479AA
- NE663M04-T1-A
- NE651R479A
- NE663M04-T2-A
- NE651R4
- NE664M04
- NE651N
- NE664M04-A