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NE662M04-T2分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

NE662M04-T2
厂商型号

NE662M04-T2

参数属性

NE662M04-T2 封装/外壳为SOT-343F;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F

功能描述

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F

封装外壳

SOT-343F

文件大小

420.27 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 California Eastern Labs
企业简称

CEL

中文名称

California Eastern Labs官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-21 20:00:00

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NE662M04-T2规格书详情

NE662M04-T2属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由California Eastern Labs制造生产的NE662M04-T2晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

DESCRIPTION

NECs NE662M04 is fabricated using NECs UHS0 25 GHz fT wafer process. With a typical transition frequency of 25 GHz the NE662M04 is usable in applications from 100 MHz to 10 GHz. The NE662M04 provides excellent low voltage/low current performance.

NECs new low profile/flat lead style M04 package is ideal for todays portable wireless applications. The NE662M04 is an ideal choice for LNA and oscillator requirements in all mobile communication systems.

FEATURES

• HIGH GAIN BANDWIDTH: fT = 25 GHz

• LOW NOISE FIGURE: NF = 1.1 dB at 2 GHz

• HIGH MAXIMUM STABLE GAIN: 20 dB at f = 2 GHz

• NEW LOW PROFILE M04 PACKAGE:

• SOT-343 footprint, with a height of just 0.59 mm

• Flat Lead Style for better RF performance

产品属性

更多
  • 产品编号:

    NE662M04-T2-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    3.3V

  • 频率 - 跃迁:

    25GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.1dB @ 2GHz

  • 增益:

    18dB

  • 功率 - 最大值:

    115mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 5mA,2V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    35mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-343F

  • 供应商器件封装:

    SOT-343F

  • 描述:

    RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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