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NE662M04-T2-A	文件：420.27 Kbytes Page：11 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR DESCRIPTION NECs NE662M04 is fabricated using NECs UHS0 25 GHz fT wafer process. With a typical transition frequency of 25 GHz the NE662M04 is usable in applications from 100 MHz to 10 GHz. The NE662M04 provides excellent low voltage/low current performance. NECs new low profile/flat lead style 文件：420.27 Kbytes 页数：11 Pages	CEL	CEL
NE662M04-T2-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-343F；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F	CEL	CEL
NE662M04-T2	文件：420.27 Kbytes Page：11 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR DESCRIPTION NECs NE662M04 is fabricated using NECs UHS0 25 GHz fT wafer process. With a typical transition frequency of 25 GHz the NE662M04 is usable in applications from 100 MHz to 10 GHz. The NE662M04 provides excellent low voltage/low current performance. NECs new low profile/flat lead style 文件：420.27 Kbytes 页数：11 Pages	CEL	CEL
NE662M04-T2	文件：93.57 Kbytes Page：10 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR DESCRIPTION The NE662M04 is fabricated using NECs UHS0 25 GHz fT wafer process. With a typical transition frequency of 25 GHz the NE662M04 is usable in applications from 100 MHz to 10 GHz. The NE662M04 provides excellent low voltage/low current performance. NECs new low profile/flat lead style M0 文件：93.57 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC

产品属性

产品编号：
NE662M04-T2-A
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
3.3V
频率 - 跃迁：
25GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.1dB @ 2GHz
增益：
18dB
功率 - 最大值：
115mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 5mA，2V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
35mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-343F
供应商器件封装：
SOT-343F
描述：
RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F

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