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NE68133-T1B-A

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

NE68133-T1B-A

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:托盘 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23

CEL

California Eastern Labs

NE68133-T1B

NECsNPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

DESCRIPTION NECsNE681seriesofNPNepitaxialsilicontransistorsaredesignedforlownoise,highgain,lowcostamplifierapplications.Boththechipandmicro-xversionsaresuitableforamplifierapplicationsupto4GHz.TheNE681dieisalsoavailableinsixdifferentlowcostplasticsurf

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NE68133-T1B

NPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

产品属性

  • 产品编号:

    NE68133-T1B-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    10V

  • 频率 - 跃迁:

    9GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.2dB @ 1GHz

  • 增益:

    13dB

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 20mA,8V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    65mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NE68133-T1B-A供应商 更新时间2025-7-20 15:01:00