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| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
NE68133-T1B-A | NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：663.14 Kbytes 页数：21 Pages | CEL | CEL | |
NE68133-T1B-A | Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：托盘 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 描述：RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23 | CEL | CEL | |
NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR DESCRIPTION NECs NE681 series of NPN epitaxial silicon transistors are designed for low noise, high gain, low cost amplifier applications. Both the chip and micro-x versions are suitable for amplifier applications up to 4 GHz. The NE681 die is also available in six different low cost plastic surf 文件：218.96 Kbytes 页数：20 Pages | NEC 瑞萨 | NEC | ||
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：663.14 Kbytes 页数：21 Pages | CEL | CEL |
产品属性
- 产品编号：
NE68133-T1B-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
10V
- 频率 - 跃迁：
9GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.2dB @ 1GHz
- 增益：
13dB
- 功率 - 最大值：
200mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 20mA，8V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
65mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CEL |
25+ |
SOT-23 |
3675 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 | ||
CEL |
22+ |
NA |
65 |
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询价 | ||
California Eastern Labs |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ZXV |
SOT-23 |
90000 |
原装现货支持BOM配单服务 |
询价 | |||
CEL |
25+ |
TO-236-3 SC-59 SOT-23-3 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
SOT-23-3 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
70000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
24+ |
3000 |
公司存货 |
询价 | ||||
CEL |
24+ |
原厂原封 |
4000 |
原装正品 |
询价 | ||
NEC |
22+ |
SOT143 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
询价 |
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