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NE68133-T1B	文件：218.96 Kbytes Page：20 Pages	NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR DESCRIPTION NECsNE681seriesofNPNepitaxialsilicontransistorsaredesignedforlownoise,highgain,lowcostamplifierapplications.Boththechipandmicro-xversionsaresuitableforamplifierapplicationsupto4GHz.TheNE681dieisalsoavailableinsixdifferentlowcostplasticsurf	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NE68133-T1B	文件：663.14 Kbytes Page：21 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL
NE68133-T1B-A	文件：663.14 Kbytes Page：21 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL
NE68133-T1B-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23	CEL California Eastern Labs	CEL
NE68133-T1B-R33-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23	CEL California Eastern Labs	CEL
NE68133-T1B-R35-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23	CEL California Eastern Labs	CEL

更多NE68133-T1B供应商更新时间2025-7-24 10:53:00