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NE68133-T1B	文件：218.96 Kbytes Page：20 Pages	NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR DESCRIPTION NECs NE681 series of NPN epitaxial silicon transistors are designed for low noise, high gain, low cost amplifier applications. Both the chip and micro-x versions are suitable for amplifier applications up to 4 GHz. The NE681 die is also available in six different low cost plastic surf 文件：218.96 Kbytes 页数：20 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NE68133-T1B	文件：663.14 Kbytes Page：21 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：663.14 Kbytes 页数：21 Pages	CEL	CEL
NE68133-T1B-A	文件：663.14 Kbytes Page：21 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：663.14 Kbytes 页数：21 Pages	CEL	CEL
NE68133-T1B-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23	CEL	CEL
NE68133-T1B-R33-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23	CEL	CEL
NE68133-T1B-R35-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23	CEL	CEL

更多NE68133-T1B供应商更新时间2025-12-2 16:04:00